IXGH32N60AU1参数:IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:HiPerFAST™包装:散装IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.9V @ 15V,32A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:200WSwitching Energy:1.8mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:125nCTd (on/off) A 25°C:25ns/120nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):35ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD