IXGJ40N60C2D1

IXGJ40N60C2D1
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IXGJ40N60C2D1参数：IGBT 600V 75A FRD TO-268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
PCNObsolescence： MultipleDevices11/Oct/2011
标准包装：30
系列：HiPerFAST™
包装：管件
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，30A
电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
Current-CollectorPulsed(Icm)：200A
功率-最大值：300W
SwitchingEnergy：200µJ（关）
输入类型：标准
GateCharge：95nC
Td(on/off)A25°C：18ns/90ns
TestCondition：400V，30A，3欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：25ns
封装：TO-268-3，D³Pak（2引线+接片），TO-268AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-268