IXGP4N100参数:IGBT 8A 1000V TO-220AB
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,4A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8ACurrent - Collector Pulsed (Icm):16A功率 - 最大值:40WSwitching Energy:900µJ(关)输入类型:标准Gate Charge:13.6nCTd (on/off) A 25°C:20ns/390nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB