IXGQ28N120B参数:IGBT 1200V 50A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.5V @ 15V,28A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50ACurrent - Collector Pulsed (Icm):150A功率 - 最大值:250WSwitching Energy:2mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:92nCTd (on/off) A 25°C:30ns/180nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):40ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P