IXGQ90N33TCD1参数:IGBT 330V 90A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):330V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):-电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90ACurrent - Collector Pulsed (Icm):360A功率 - 最大值:-Switching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:69nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P