IXSK35N120AU1参数:IGBT W/DIODE 1200VLT 70AMP TO264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:-包装:散装IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):4V @ 15V,35A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70ACurrent - Collector Pulsed (Icm):140A功率 - 最大值:300WSwitching Energy:10mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:150nCTd (on/off) A 25°C:80ns/400nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):40ns封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264AA