IXSN50N60BD2参数:IGBT 75A 600V SOT-227B
类别:半导体模块-IGBT标准包装:10系列:-IGBT 类型:-配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,50A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A电流 - 集电极截止(最大值):350µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):3.85nF @ 25V功率 - 最大值:250W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:SOT-227-4,miniBLOC供应商器件封装:SOT-227B