IXSQ10N60B2D1

IXSQ20N60B2D1
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IXSQ20N60B2D1参数：IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO-3P

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：散装
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，16A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
功率 - 最大值：190W
Switching Energy：380µJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：33nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/116ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：30ns
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P