IXST15N120BD1

IXST15N120BD1
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IXST15N120BD1参数：IGBT 1200V 30A FRD SCSOA TO-268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.4V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
功率 - 最大值：150W
Switching Energy：1.5mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：57nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/148ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：30ns
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268