IXST35N120B

IXST35N120B
PDF资料下载

IXST35N120B参数：IGBT 1200V 70A SCSOA TO-268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.6V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70A
Current - Collector Pulsed (Icm)：140A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：5mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：120nC
Td (on/off) A 25°C：36ns/160ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268