IXTA1R6N50D2参数：MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：耗尽模式漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.3 欧姆 @ 800mA，0V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23.7nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：645pF @ 25V功率 - 最大值：100W安装类型：表面贴装封装：TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA供应商器件封装：TO-263AA
