IXTA3N120参数：MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 25V功率 - 最大值：200W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263
