IXTK250N10参数：MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXTK250N1014/Nov/2012标准包装：25系列：MegaMOS™包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@90A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：430nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：12700pF@25V功率-最大值：730W安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA供应商器件封装：TO-264AA
