IXTN8N150L参数：MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
类别：半导体模块-FET标准包装：10系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 欧姆 @ 4A，20V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 15V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8000pF @ 25V功率 - 最大值：545W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
