IXTP01N100D参数：MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：耗尽模式漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 欧姆 @ 50mA，0V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V功率 - 最大值：1.1W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
