IXTP02N120P参数:MOSFET N-CH 1200V 200MA TO-220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:Polar™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 100mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):104pF @ 25V功率 - 最大值:33W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220