IXTP1N80参数：MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：750mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：220pF @ 25V功率 - 最大值：40W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
