IXTQ200N085T参数:MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: IXTSeries30/Oct/2012标准包装:30系列:TrenchMV™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):85V电流-连续漏极(Id)(25°C时):200A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5毫欧@25A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):152nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):7600pF@25V功率-最大值:480W安装类型:通孔封装:TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装:TO-3P