IXTT30N60P

IXTT30N60P
PDF资料下载

IXTT30N60P参数：MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：PolarHV™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5050pF @ 25V
功率 - 最大值：540W
安装类型：表面贴装
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268