IXTV02N250S参数：MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2012标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：2500V（2.5kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450欧姆@50mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：116pF@25V功率-最大值：83W安装类型：表面贴装封装：PLUS-220SMD供应商器件封装：PLUS-220SMD
