IXTV102N20T参数:MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:TrenchHV™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):102A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6800pF @ 25V功率 - 最大值:750W安装类型:通孔封装:TO-220-3(SMT)标片供应商器件封装:PLUS220