IXTV200N10TS参数：MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices22/Feb/2013标准包装：50系列：TrenchMV™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.5毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：152nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9400pF@25V功率-最大值：550W安装类型：表面贴装封装：PLUS-220SMD供应商器件封装：PLUS-220SMD
