IXTY08N100D2参数：MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：70系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：耗尽模式漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：800mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：21 欧姆 @ 400mA，0V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：325pF @ 25V功率 - 最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
