IXTY1R6N100D2参数:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:70系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:耗尽模式漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 800mA,0V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):645pF @ 25V功率 - 最大值:100W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)