IXTY50N085T参数：MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXTSeries30/Oct/2012标准包装：75系列：TrenchMV™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：85V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1460pF@25V功率-最大值：130W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
