IXTY01N100参数:MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:70系列:-包装:剪切带 (CT)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 欧姆 @ 100mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):54pF @ 25V功率 - 最大值:25W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252AA