IXXH60N65B4参数:IGBT 650V 116A 455W TO247AD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:*包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,60A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):116ACurrent - Collector Pulsed (Icm):250A功率 - 最大值:455WSwitching Energy:3.13mJ (开), 1.15mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:95nCTd (on/off) A 25°C:37ns/145nsTest Condition:400V, 60A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD