IXXH80N65B4H1参数:IGBT 650V 160A 625W TO247AD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:*包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V, 80A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160ACurrent - Collector Pulsed (Icm):430A功率 - 最大值:625WSwitching Energy:3.77mJ (开), 1.2mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:120nCTd (on/off) A 25°C:38ns/120nsTest Condition:400V, 80A, 3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD