IXXN110N65B4H1参数:IGBT 650V 215A 750W SOT227B
类别:半导体模块-IGBT标准包装:10系列:*IGBT 类型:PT配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,110A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):215A电流 - 集电极截止(最大值):50µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):*功率 - 最大值:750W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:SOT-227-4,miniBLOC供应商器件封装:SOT-227B