IXXR110N65B4H1参数:IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:*包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.15V @ 15V, 110A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150ACurrent - Collector Pulsed (Icm):460A功率 - 最大值:455WSwitching Energy:2.2mJ (开), 1.05mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:183nCTd (on/off) A 25°C:38ns/156nsTest Condition:400V, 55A, 2 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):100ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:ISOPLUS247?