IXXX200N65B4参数:IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:*包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.7V @ 15V, 160A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):370ACurrent - Collector Pulsed (Icm):1000A功率 - 最大值:1150WSwitching Energy:4.4mJ (开), 2.2mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:553nCTd (on/off) A 25°C:62ns/245nsTest Condition:400V, 100A, 1 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:PLUS247?-3