IXYSDSEI2/61-06C/649A

IXYB82N120C3H1
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IXYB82N120C3H1参数：IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：25
系列：XPT™, GenX3™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160A
Current - Collector Pulsed (Icm)：320A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：4.95mJ（开），2.78mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：215nC
Td (on/off) A 25°C：29ns/192ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：420ns
封装：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：*