J111,126参数：TRANSISTOR N-CH 40V 50MA TO92-3
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：2,000系列：-包装：带盒（TB）不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：20mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：40V漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：10V @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）：30 欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3功率 - 最大值：400mW
