J175,116参数：JFET P-CHAN 30V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：10,000系列：-包装：带盒（TB）不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：7mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：30V漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：P 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：3V @ 10nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）：125 欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92功率 - 最大值：400mW
