KSH112GTM参数：TRANSISTOR NPN 100V 2A DPAK
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A电压 - 集射极击穿（最大值）：100V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：3V @ 40mA，4A电流 - 集电极截止（最大值）：20µA不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V功率 - 最大值：1.75W频率 - 跃迁：25MHz安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
