KSK30RBU参数：JFET N-CH 50V 300UA TO92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应PCNDesign/Specification： CopperLeadFrame12/Oct/2007标准包装：10,000系列：-包装：散装不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：300µA@10V漏源极电压(Vdss)：-漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：50V不同Id时的电压-截止（VGS关）：400mV@100nA不同Vds时的输入电容(Ciss)：8.2pF@0V电阻-RDS（开）：-安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体供应商器件封装：TO-92-3功率-最大值：100mW
