MCH3479-TL-H参数：MOSFET N-CH 3.5A 20V MCPH3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：64 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：3-MCPH
