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MG8J6ES1

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MG8J6ES11(8A600V)

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相关型号： MG800J2YS50A MG785 20.0M-1% MG-75-B-MD-R MG-75-B-9V-R MG-75-A-MD-R MG-75-A-9V-R

MG800J2YS50A
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MG800J2YS50A参数：IGBT MOD CMPCT 600V 800A

类别：半导体模块-IGBT
标准包装：1
系列：IGBTMOD™
IGBT类型：-
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3V@15V，800A
电流-集电极(Ic)（最大值）：800A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同?Vce时的输入电容(Cies)：93nF@10V
功率-最大值：2900W
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装：模块
供应商器件封装：模块
配用：BG2B-5015-ND-KITDEVBOARD2CN5AFORIGBTBG2B-3015-ND-KITDEVBOARD2CN3AFORIGBTBG2B-1515-ND-KITDEVBOARD1.5AFORIGBTBG2A-NF-ND-KITDEVBOARDFORIGBT

MG8J6ES1

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