MITB15WB1200TMH参数：MODULE IGBT CBI
类别：半导体模块-IGBT标准包装：20系列：-IGBT 类型：沟道配置：三相反相器，带制动器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.2V @ 15V，15A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：29A电流 - 集电极截止（最大值）：600µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：1.1nF @ 25V功率 - 最大值：100W输入：三相桥式整流器NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装：MiniPack2供应商器件封装：迷你型Pack2
