MMBT5210参数：TRANSISTOR NPN GP SOT-23
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：700mV@1mA，10mA电流-集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@100µA，5V功率-最大值：350mW频率-跃迁：30MHz安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3
