MMSF7P03HDR2参数:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: LTBNotification03/Jan/2008标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):35毫欧@5.3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):75.8nC@6V不同Vds时的输入电容(Ciss):1680pF@24V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN