MP6K13TCR参数：MOSFET N-CH+N-CH 4V DUAL MPT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 10V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：MPT6
