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MRF5812G

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相关型号： MRF581 MRF559G MRF555T MRF555 MRF553G MRF544

MRF5812GR1
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MRF5812GR1参数：TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
产品目录绘图： MRF5812(GR1,R2)Top
标准包装：500
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：15V
频率-跃迁：5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：2dB~3dB@500MHz
增益：13dB~15.5dB
功率-最大值：1.25W
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：50@50mA，5V
电流-集电极(Ic)（最大值）：200mA
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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