MRF6S19100HSR3

MRF6S19100HSR3
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MRF6S19100HSR3参数：MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S

类别：分立半导体产品-RF FET
PCNObsolescence： RFDevices01/Jul/2010
标准包装：250
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：LDMOS
频率：1.99GHz
增益：16.1dB
电压-测试：28V
额定电流：10µA
噪声系数：-
电流-测试：900mA
功率-输出：22W
电压-额定：68V
封装：NI-780S
供应商器件封装：NI-780S