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MRF6S19100N

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MRF6S19100NBR1
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MRF6S19100NBR1参数：MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4

类别：分立半导体产品-RF FET
PCNObsolescence： RFDevices01/Jul/2010
标准包装：500
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：LDMOS
频率：1.99GHz
增益：14.5dB
电压-测试：28V
额定电流：10µA
噪声系数：-
电流-测试：950mA
功率-输出：22W
电压-额定：68V
封装：TO-272BB
供应商器件封装：TO-272WB-4

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