MRF6S19120HR3参数：MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
类别：分立半导体产品-RF FET标准包装：250系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：LDMOS频率：1.99GHz增益：15dB电压 - 测试：28V额定电流：10µA噪声系数：-电流 - 测试：1A功率 - 输出：19W电压 - 额定：68V封装：NI-780供应商器件封装：NI-780
