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MRF6S20010GNR1

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MRF6S20010GNR1
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MRF6S20010GNR1参数：MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW

类别：分立半导体产品-RF FET
标准包装：500
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：LDMOS
频率：2.17GHz
增益：15.5dB
电压 - 测试：28V
额定电流：10µA
噪声系数：-
电流 - 测试：130mA
功率 - 输出：10W
电压 - 额定：68V
封装：TO-270BB
供应商器件封装：TO-270 WB-4 鸥翼形

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