MRF6S21190HSR3参数:MOSFET RF N-CH 54W NI880S
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:250系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:2.11GHz增益:16dB电压 - 测试:28V额定电流:10µA噪声系数:-电流 - 测试:1.6A功率 - 输出:54W电压 - 额定:68V封装:NI-880S供应商器件封装:NI-880S