MRF6S23100HSR3参数：MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
类别：分立半导体产品-RF FETPCNObsolescence： RFDevices28/Jun/2011标准包装：250系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：LDMOS频率：2.3GHz增益：15.4dB电压-测试：28V额定电流：10µA噪声系数：-电流-测试：1A功率-输出：20W电压-额定：68V封装：NI-780S供应商器件封装：NI-780S
