MRF6VP11KGSR5参数:MOSFET RF N-CH 1000W NI-1230GS
类别:分立半导体产品-RF FET标准包装:50系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:LDMOS频率:1.51GHz增益:26dB电压 - 测试:50V额定电流:5mA噪声系数:-电流 - 测试:150mA功率 - 输出:1000W电压 - 额定:110V封装:NI-1230S-4 GW供应商器件封装:NI-1230S-4 鸥翼型